♦Alumina (Al2O3)
I pezzi di ceramica di precisione prudutte da ZhongHui Intelligent Manufacturing Group (ZHHIMG) ponu esse fatti di materie prime ceramiche d'alta purezza, 92 ~ 97% allumina, 99.5% allumina, > 99.9% allumina, è pressa isostatica CIP fredda.Sinterizzazione à alta temperatura è usinazioni di precisione, precisione dimensionale di ± 0.001 mm, liscia finu à Ra0.1, usu temperatura finu à 1600 gradi.Diversi culori di ceramica ponu esse fatti sicondu i bisogni di i clienti, cum'è: neru, biancu, beige, rossu scuru, etc. I pezzi di ceramica di precisione pruduciutu da a nostra cumpagnia sò resistenti à alta temperatura, corrosione, usura è insulazione, è ponu esse usatu per un longu tempu in alta temperatura, vacuum è ambienti di gas corrosivu.
Ampiamente utilizatu in una varietà di l'equipaggiu di produzzione di semiconduttori: Frames (bracket ceramica), Substrate (base), Arm / Bridge (manipulator), , Componenti Meccanichi è Cuscinetti d'Aria Ceramica.
| Nome di u produttu | Tubu carré/pipe/tige en céramique d'aluminium de haute pureté 99 | |||||
| Indice | Unità | 85 % Al2O3 | 95 % Al2O3 | 99 % Al2O3 | 99,5 % Al2O3 | |
| Densità | g/cm3 | 3.3 | 3,65 | 3.8 | 3.9 | |
| Absorption d'acqua | % | <0.1 | <0.1 | 0 | 0 | |
| Temperatura sinterizzata | ℃ | 1620 | 1650 | 1800 | 1800 | |
| Durezza | Mohs | 7 | 9 | 9 | 9 | |
| Forza di curvatura (20 ℃)) | Mpa | 200 | 300 | 340 | 360 | |
| Forza cumpressione | Kgf/cm2 | 10000 | 25000 | 30000 | 30000 | |
| Temperature di travagliu longu | ℃ | 1350 | 1400 | 1600 | 1650 | |
| Max.Temperature di travagliu | ℃ | 1450 | 1600 | 1800 | 1800 | |
| Resistività di u voluminu | 20 ℃ | Ω.cm3 | > 1013 | > 1013 | > 1013 | > 1013 |
| 100 ℃ | 1012-1013 | 1012-1013 | 1012-1013 | 1012-1013 | ||
| 300 ℃ | > 109 | > 1010 | > 1012 | > 1012 | ||
Applicazione di ceramica di allumina di alta purezza:
1. Applied to semiconductor equipment: ceramica vacuum chuck, cutting disc, cleaning disc, ceramic CHUCK.
2. Parti di trasferimentu di wafer: mandrini di manipulazione di wafer, dischi di taglio di wafer, dischi di pulizia di wafer, ventose d'ispezione ottica di wafer.
3. Industria di display LED / LCD flat panel: ugello ceramicu, discu di macinazione ceramica, LIFT PIN, PIN rail.
4. Comunicazione ottica, industria sulari: tubi di ceramica, bastoncini di ceramica, scrapers di ceramica di stampa di circuitu.
5. Parti resistenti à u calore è electrically insulating: cuscinetti ceramichi.
Attualmente, a ceramica d'ossidu d'aluminiu pò esse divisa in ceramica d'alta purezza è cumuni.A serie di ceramica d'ossidu d'aluminiu d'alta purezza si riferisce à u materiale ceramicu chì cuntene più di 99,9% Al₂O₃.A causa di a so temperatura di sinterizazione finu à 1650 - 1990 ° C è a so lunghezza d'onda di trasmissione di 1 ~ 6 μm, hè generalmente trasfurmatu in vetru fusu invece di crucible di platinu: chì pò esse usatu cum'è tubu di sodiu per via di a so trasmissione di a luce è a resistenza à a corrosione. metallu alkali.In l'industria di l'elettronica, pò esse usatu cum'è materiale insulating d'alta frequenza per i sustrati IC.Sicondu diversi cuntenuti di l'ossidu d'aluminiu, a serie di ceramica d'ossidu d'aluminiu cumuni pò esse divisa in 99 ceramiche, 95 ceramics, 90 ceramics è 85 ceramics.A volte, a ceramica cù 80% o 75% di l'ossidu d'aluminiu hè ancu classificatu cum'è serie di ceramica d'ossidu d'aluminiu cumuni.À mezu à elli, 99 ossidu d'aluminiu materiale ceramica hè usata à pruducia crucible high-temperature, tubu fornu fireproofing è materiali spiciali resistenti à l'usura, cum'è cuscinetti in ceramica, sigilli ceramica è platti valve.A ceramica d'aluminiu 95 hè principalmente usata cum'è parte resistente à l'usura resistente à a corrosione.A ceramica 85 hè spessu mischiata in certi pruprietà, per quessa, migliurà a prestazione elettrica è a forza meccanica.Puderà usà molibdenu, niobiu, tantalu è altri sigilli metallichi, è certi sò usati cum'è apparecchi elettrici di vacuum.
| Elementu di qualità (Valore Rapprisintanti) | Nome di u produttu | AES-12 | AES-11 | AES-11C | AES-11F | AES-22S | AES-23 | AL-31-03 | |
| Cumpusizioni Chimica Pruduttu di Sinterizazione Facile à Pocu Sodiu | H₂O | % | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 |
| Lol | % | 0.1 | 0.2 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | |
| Fe₂0₃ | % | 0,01 | 0,01 | 0,01 | 0,01 | 0,01 | 0,01 | 0,01 | |
| SiO₂ | % | 0,03 | 0,03 | 0,03 | 0,03 | 0,02 | 0,04 | 0,04 | |
| Na₂O | % | 0,04 | 0,04 | 0,04 | 0,04 | 0,02 | 0,04 | 0,03 | |
| MgO* | % | - | 0.11 | 0,05 | 0,05 | - | - | - | |
| Al₂0₃ | % | 99.9 | 99.9 | 99.9 | 99.9 | 99.9 | 99.9 | 99.9 | |
| Diametru di particella media (MT-3300, metudu di analisi laser) | μm | 0,44 | 0,43 | 0,39 | 0,47 | 1.1 | 2.2 | 3 | |
| α Taille du cristal | μm | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0,3 ~ 1,0 | 0,3 ~ 4 | 0,3 ~ 4 | |
| Densità di furmazione ** | g/cm³ | 2.22 | 2.22 | 2.2 | 2.17 | 2.35 | 2.57 | 2.56 | |
| Densità di sinterizzazione** | g/cm³ | 3,88 | 3,93 | 3,94 | 3,93 | 3,88 | 3.77 | 3.22 | |
| Tasso di contrazione di a linea di sinterizzazione** | % | 17 | 17 | 18 | 18 | 15 | 12 | 7 | |
* MgO ùn hè micca inclusu in u calculu di purità di Al₂O₃.
* Nisuna polvere di scaling 29.4MPa (300kg/cm²), a temperatura di sinterizazione hè 1600 ° C.
AES-11 / 11C / 11F: Aghjunghjite 0,05 ~ 0,1% MgO, a sinterabilità hè eccellente, cusì hè applicabile à a ceramica d'ossidu d'aluminiu cù a purità di più di 99%.
AES-22S: Caratterizatu da una alta densità di formatura è una bassa rata di contrazione di a linea di sinterizzazione, hè applicabile à a fusione di forma di slip è à altri prudutti à grande scala cù a precisione dimensionale necessaria.
AES-23 / AES-31-03: Hà una densità di furmazione più alta, tixotropia è una viscosità più bassa cà AES-22S.u primu hè utilizatu per a ceramica, mentre chì l'ultimu hè adupratu com'è riduttore d'acqua per i materiali ignifughi, guadagnendu pupularità.
♦Caracteristica di Carbure di Silicium (SiC).
| Caratteristiche generale | Purezza di i cumpunenti principali (% in peso) | 97 | |
| Culore | Neru | ||
| Densità (g/cm³) | 3.1 | ||
| Assorbimentu d'acqua (%) | 0 | ||
| Caratteristiche meccaniche | Forza a flessione (MPa) | 400 | |
| Modulu Young (GPa) | 400 | ||
| durezza Vickers (GPa) | 20 | ||
| Caratteristiche termiche | Température maximale de fonctionnement (°C) | 1600 | |
| Coefficient di espansione termica | RT ~ 500 ° C | 3.9 | |
| (1/°C x 10-6) | RT ~ 800 ° C | 4.3 | |
| Conduttività termica (W/m x K) | 130 110 | ||
| Résistance aux chocs thermiques ΔT (°C) | 300 | ||
| Caratteristiche elettriche | resistività di u voluminu | 25 ° C | 3 x 106 |
| 300 ° C | - | ||
| 500 ° C | - | ||
| 800 ° C | - | ||
| Custante dielettrica | 10 GHz | - | |
| Perdita dielettrica (x 10-4) | - | ||
| Fattore Q (x 104) | - | ||
| Tensione di rottura dielettrica (KV/mm) | - | ||
♦Ceramica Nitruru di Silicium
| Materiale | Unità | Si₃N₄ |
| Metudu di sinterizzazione | - | Pressione di gas sinterizzata |
| Densità | g/cm³ | 3.22 |
| Culore | - | Grigiu scuru |
| Rate d'absorzione d'acqua | % | 0 |
| Young Modulus | Gpa | 290 |
| Durezza Vickers | Gpa | 18 - 20 |
| Forza cumpressione | Mpa | 2200 |
| Forza di curvatura | Mpa | 650 |
| Conduttività termale | W/mK | 25 |
| Resistenza à Shock Thermal | Δ (°C) | 450 - 650 |
| A temperatura massima di u funziunamentu | °C | 1200 |
| Resistività di u voluminu | Ω·cm | > 10 ^ 14 |
| Custante dielettrica | - | 8.2 |
| Forza dielettrica | kV/mm | 16 |