Materiale - Ceramica

♦ Alumina (Al2O3)

I pezzi di ceramica di precisione prudutti da ZhongHui Intelligent Manufacturing Group (ZHHIMG) ponu esse fatti di materie prime ceramiche di alta purezza, 92~97% alumina, 99,5% alumina, >99,9% alumina, è pressatura isostatica à fretu CIP. Sinterizzazione à alta temperatura è machinazione di precisione, precisione dimensionale di ± 0,001 mm, levigatezza finu à Ra0,1, temperatura d'usu finu à 1600 gradi. Diversi culori di ceramica ponu esse fatti secondu i requisiti di i clienti, cum'è: neru, biancu, beige, rossu scuru, ecc. I pezzi di ceramica di precisione prudutti da a nostra sucietà sò resistenti à alta temperatura, corrosione, usura è isolamentu, è ponu esse aduprati per un longu tempu in alta temperatura, vacuum è ambiente di gas corrosivi.

Ampiamente adupratu in una varietà di apparecchiature di pruduzzione di semiconduttori: Telai (supporto ceramicu), substratu (base), bracciu / ponte (manipulatore), cumpunenti meccanichi è cuscinetti d'aria ceramichi.

AL2O3

Nome di u produttu Tubu / Pipa / Asta Quadrata in Ceramica d'Allumina 99 d'Alta Purezza
Indice Unità 85% Al2O3 95% Al2O3 99% Al2O3 99,5% Al2O3
Densità g/cm3 3.3 3,65 3.8 3.9
Assorbimentu d'acqua % <0,1 <0,1 0 0
Temperatura sinterizzata 1620 1650 1800 1800
Durezza Mohs 7 9 9 9
Forza di flessione (20 ℃)) Mpa 200 300 340 360
Forza di cumpressione Kgf/cm2 10000 25000 30000 30000
Temperatura di travagliu à longu andà 1350 1400 1600 1650
Temperatura massima di travagliu 1450 1600 1800 1800
Resistività di u vulume 20℃ Ω. cm3 >1013 >1013 >1013 >1013
100 ℃ 1012-1013 1012-1013 1012-1013 1012-1013
300 ℃ >109 >1010 >1012 >1012

Applicazione di ceramica d'alumina d'alta purezza:
1. Applicatu à l'equipaggiu di semiconduttori: mandrinu à vuoto ceramicu, discu di taglio, discu di pulizia, MANDRINO ceramicu.
2. Parti di trasferimentu di wafer: mandrini per a manipulazione di wafer, dischi per u tagliu di wafer, dischi per a pulizia di wafer, ventose per l'ispezione ottica di wafer.
3. Industria di display à pannellu pianu LED / LCD: ugello ceramicu, discu di macinazione ceramica, PIN DI SOLLEVAMENTU, binario PIN.
4. Cumunicazione ottica, industria solare: tubi ceramici, aste ceramiche, raschietti ceramici per serigrafia di circuiti stampati.
5. Parti resistenti à u calore è isolanti elettricamente: cuscinetti ceramici.
Attualmente, a ceramica d'ossidu d'aluminiu pò esse divisa in ceramica d'alta purezza è ceramica cumuna. A serie di ceramica d'ossidu d'aluminiu d'alta purezza si riferisce à u materiale ceramicu chì cuntene più di 99,9% Al₂O₃. Per via di a so temperatura di sinterizazione finu à 1650 - 1990 ° C è a so lunghezza d'onda di trasmissione di 1 ~ 6 μm, hè generalmente trasfurmatu in vetru fusu invece di crogiolu di platinu: chì pò esse adupratu cum'è tubu di sodiu per via di a so trasmittanza di luce è a resistenza à a corrosione di i metalli alcalini. In l'industria elettronica, pò esse adupratu cum'è materiale isolante d'alta frequenza per i substrati IC. Sicondu i diversi cuntenuti di ossidu d'aluminiu, a serie cumuna di ceramica d'ossidu d'aluminiu pò esse divisa in 99 ceramica, 95 ceramica, 90 ceramica è 85 ceramica. Calchì volta, a ceramica cù 80% o 75% di ossidu d'aluminiu hè ancu classificata cum'è serie cumuna di ceramica d'ossidu d'aluminiu. Frà elli, u materiale ceramicu d'ossidu d'aluminiu 99 hè adupratu per pruduce crogioli à alta temperatura, tubi di fornu ignifughi è materiali speciali resistenti à l'usura, cum'è cuscinetti ceramici, guarnizioni ceramiche è piastre di valvula. A ceramica d'aluminiu 95 hè aduprata principalmente cum'è parte resistente à a corrosione è à l'usura. A ceramica 85 hè spessu mischiata in alcune proprietà, migliurendu cusì e prestazioni elettriche è a resistenza meccanica. Pò aduprà molibdenu, niobiu, tantalu è altre guarnizioni metalliche, è alcune sò aduprate cum'è dispositivi elettrici à vuoto.

 

Articulu di qualità (valore rappresentativu) Nome di u produttu AES-12 AES-11 AES-11C AES-11F AES-22S AES-23 AL-31-03
Cumposizione chimica Prodottu di sinterizazione faciule à bassu cuntenutu di sodiu H₂O % 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1
Lol % 0.1 0,2 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1
Fe₂0₃ % 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01
SiO₂ % 0,03 0,03 0,03 0,03 0,02 0,04 0,04
Na₂O % 0,04 0,04 0,04 0,04 0,02 0,04 0,03
MgO* % - 0,11 0,05 0,05 - - -
Al₂0₃ % 99.9 99.9 99.9 99.9 99.9 99.9 99.9
Diametru mediu di e particelle (MT-3300, metudu d'analisi laser) μm 0,44 0,43 0,39 0,47 1.1 2.2 3
α Dimensione di u Cristallu μm 0.3 0.3 0.3 0.3 0,3 ~ 1,0 0,3 ~ 4 0,3 ~ 4
Densità di furmazione** g/cm³ 2.22 2.22 2.2 2.17 2.35 2.57 2.56
Densità di sinterizazione** g/cm³ 3,88 3.93 3.94 3.93 3,88 3.77 3.22
Tassa di riduzione di a linea di sinterizzazione ** % 17 17 18 18 15 12 7

* MgO ùn hè micca inclusu in u calculu di a purità di Al₂O₃.
* Nisuna polvere incrustante 29.4MPa (300kg/cm²), a temperatura di sinterizazione hè 1600°C.
AES-11 / 11C / 11F: Aghjunghje 0,05 ~ 0,1% MgO, a sinterizazione hè eccellente, dunque hè applicabile à a ceramica d'ossidu d'aluminiu cù una purezza di più di 99%.
AES-22S: Caratterizatu da una alta densità di furmazione è una bassa velocità di restringimentu di a linea di sinterizzazione, hè applicabile à a fusione à forma scorrevole è altri prudutti à grande scala cù a precisione dimensionale necessaria.
AES-23 / AES-31-03: Hà una densità di furmazione più alta, tixotropia è una viscosità più bassa chè AES-22S. U primu hè adupratu per a ceramica mentre u secondu hè adupratu cum'è riduttore d'acqua per i materiali ignifughi, guadagnendu pupularità.

♦Caratteristiche di u Carburu di Siliciu (SiC)

Caratteristiche generali Purità di i cumpunenti principali (% in pesu) 97
Culore Neru
Densità (g/cm³) 3.1
Assorbimentu d'acqua (%) 0
Caratteristiche Meccaniche Resistenza à a flessione (MPa) 400
Modulu di Young (GPa) 400
Durezza Vickers (GPa) 20
Caratteristiche termiche Temperatura massima di funziunamentu (°C) 1600
Coefficiente di dilatazione termica Température d'exposition ~ 500 °C 3.9
(1/°C x 10-6) Température d'exposition ~ 800 °C 4.3
Cunduttività termica (W/m x K) 130 110
Resistenza à u shock termicu ΔT (°C) 300
Caratteristiche elettriche Resistività di vulume 25°C 3 x 106
300°C -
500°C -
800°C -
Custante dielettrica 10GHz -
Perdita dielettrica (x 10-4) -
Fattore Q (x 10⁴) -
Tensione di rottura dielettrica (KV/mm) -

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♦ Ceramica di nitruru di siliciu

Materiale Unità Si₃N₄
Metudu di sinterizazione - Sinterizatu à pressione di gasu
Densità g/cm³ 3.22
Culore - Grisu scuru
Tassa d'assorbimentu d'acqua % 0
Modulu Ghjovanu GPA 290
Durezza Vickers GPA 18 - 20
Forza di cumpressione Mpa 2200
Forza di flessione Mpa 650
Cunduttività termica W/mK 25
Resistenza à i scossi termichi Δ (°C) 450 - 650
Temperatura massima di funziunamentu °C 1200
Resistività di u vulume Ω·cm > 10 ^ 14
Custante dielettrica - 8.2
Forza dielettrica kV/mm 16